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| 关键词： 透明 制造 TRRAM 韩国 存储 RRAM 研发 工艺 材料 里程碑式 |
在最新一期的物理学著名期刊《应用物理通讯》上,来自韩国科学技术院的5位研究人员发表了一篇论文,宣称他们制造出了全球首款透明RRAM存储元件TRRAM. RRAM即电阻RAM,是业界普遍看好的下一代非易失性存储技术.来自韩国的这些研究者并没有在RRAM的制造技术上进行改进,而是使用氧化铟锡等透明材料作为CMOS制造工艺的原料,制造出了透光率达到81%的透明存储颗粒TRRAM. 论文的主要作者Jung Won Seo表示,此项成果是走向透明电子设备道路上的一项里程碑式成功,通过采用TRRAM和其他透明电子元件,我们距离真正实用化的全透明电子产品的距离已经不远了. 研发团队表示,TRRAM的制造工艺并不复杂,预计在3到4年内就能投入商用.他们的下一步研发方向是使用柔性材料制造可弯曲的TRRAM. |
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