这样的设计不仅节省了空间,而且还减轻了主处理器的存储管理负担,包括坏块管理,错误校正,损耗均衡和垃圾收集。
因此,与具有标准NAND闪存接口的独立存储器IC相比,e-MMC和UFS器件简化了设计。
据介绍,东芝的新e-MMC芯片容量从16GB到128GB不等,采用15nm工艺制造,这使得其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。
读写性能方面,新e-MMC芯片的顺序读写速度分别为320MB/s和180MB/s,分别比旧型号提升约2%和20%。随机读写速度比以前提升约100%和140%。
另外,新的UFS芯片也基于东芝的15nm MLC NAND工艺,可提供从32GB到128GB的容量。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了大约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了大约120%和80%。
需要强调的是,东芝在新的UFS控制器中提供了M-PHY 3.0内核和数字UniPro 1.6内核。使得控制器能够与闪存芯片更好的匹配,充分发挥性能。





